技术编号:7259063
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,包活提供形成有隔离结构、栅极结构和位于所述賺极结构两侧的侧壁结构的半导体衬底;在所述则壁结构之间以及所述侧壁结构与所述隔离结构之间的半导体衬底中形成E状凹槽;在所述E状扣槽中依次形成嵌入式锗硅层和硅帽层,其中,形成于所述侧壁结构与所述隔离结构之间的E状凹晴中的硅帽层的顶部的最低处高于所述半导体衬窗的表面;回蚀刻所述硅帽层。根据本发明,在栅极结构和隔离结构之间的半导体衬底中形成自下而上层叠的嵌入式锗硅层和硅帽层时,可以获得顷部平整的硅帽层,有效避...
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