技术编号:7259074
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。该TFET包括在基板上的第一电极;在第一电极上的半导体层;在半导体层上的石墨烯沟道,该石墨烯沟道朝向与第一电极间隔开的第一区域延伸;在石墨烯沟道上的第二电极,该第二电极在第一区域上;覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层;以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对,半导体层设置在其间。专利说明包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管[0001]本公开涉及包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET),更具体而言,...
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