技术编号:7259471
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提供了一种。所述方法包括以下步骤提供包括加热电极的半导体衬底;在半导体衬底上形成包括初步相变区的层间绝缘层;将初步相变区的入口部分的直径减小成比初步相变区的底部部分的直径更小;利用入口部分的直径与底部部分的直径之间的差来将具有空隙的绝缘层填充在初步相变区中;去除绝缘层至入口部分与底部部分之间的界面,由此形成暴露出加热电极的主孔;以及形成相变材料层以掩埋在主孔和初步相变区中。专利说明[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求2012年12月26日向...
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