技术编号:7260150
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。薄膜晶体管基底包括基础基底;有源图案,设置在基础基底上,并且包括源电极、漏电极以及设置在源电极和漏电极之间的包括氧化物半导体的沟道;栅极绝缘图案,设置在有源图案上;栅电极,设置在栅极绝缘图案上并且与沟道叠置;光阻挡图案,设置在基础基底和有源图案之间。专利说明[0001]本发明的示例性实施例涉及一种薄膜晶体管基底和一种制造该薄膜晶体管基底的方法。更具体地讲,本发明的示例性实施例涉及一种包括氧化物半导体的薄膜晶体管基底和一种制造该薄I吴晶体管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。