技术编号:7260245
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,其中所述鳍式场效应晶体管包括基底;位于所述基底上的鳍部,所述鳍部具有第一掺杂;覆盖所述鳍部侧壁上部和上表面的沟道区材料层,所述沟道区材料层没有掺杂;或者,所述沟道区材料层具有第二掺杂,所述第二掺杂与所述第一掺杂类型相同,且第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度;横跨所述鳍部的栅极。本发明提供的鳍式场效应晶体管能够有效调节驱动电流和减小漏电流,且能有效扩散所述鳍式场效应晶体管中产生的热量。专利说明 [0001]本发明涉及半导体领域,特别涉及到一种。 ...
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