技术编号：7260274
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种硅氧化膜的形成方法及其形成装置。该硅氧化膜的形成方法具备成膜工序，向收纳有多个被处理体的反应室内供给含氯原子的硅源，并在所述多个被处理体上形成硅氧化膜，其中，在所述成膜工序中，向所述反应室内供给氢气气体并使该反应室内处于氢气气氛下。专利说明硅氧化膜的形成方法及其形成装置[0001]相关申请的交叉参考[0002]本申请基于并要求于2012年7月4日提交的日本专利申请第2012-150758号的优先权的权益，并将该日本申请的全部内容结合于此作为参...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。