技术编号：7260318
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括提供具有第一表面和第二表面的第一或第二导电类型的衬底；在所述衬底的第一表面形成间隔的凹槽；在所述凹槽内填充第二或第一导电类型的半导体材料以形成通道，其中所述通道的导电类型与所述衬底的导电类型不同；在所述衬底的第一表面上外延形成第二导电类型的漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；自所述衬底的第二表面开始减薄所述衬底直到露出所述通道；在所述通道和减薄后的衬底上形成背面金属电极。该方法对薄片流通能力没有特殊要求...
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