技术编号:7260511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,该方法具有以下方法步骤a)提供基底(1),其中,基底(1)具有不导电的绝缘材料体(2),b)在绝缘材料体(2)上沿着基底(1)的期望的断裂棱边(A、B、C、D、E)进行材料剥除,其中,材料剥除以如下方式执行,即,在至少两个期望的断裂棱边(A、B、C、D、E)相会的角区域(14)中执行相对于在期望的断裂棱边(A、B、C、D、E)的其余区域(17)中所执行的材料剥除更高度的材料剥除。本发明能够实现在断裂用于至少一个功率半导体构件的基底(1)时减...
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