技术编号：7260553
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，包括制绒、扩散、氧化、刻边、去除PSG、PECVD处理、丝网印刷及烧结等步骤，完成对晶体硅太阳电池的表面钝化处理。与现有技术相比，本发明的氧化工艺对硅片质量及其他工艺基本无影响，与其余工艺容易进行匹配，应用氧化工艺后，Voc可以提高4～6mV，电池效率绝对值可以提高0.3～0.5％，对于单晶硅太阳电池，最高效率可以达到1926％。专利说明 [0001] 本发明涉及处理晶体硅太阳电池的方法，尤其是涉及一种晶体硅太阳电池表面钝 化的方法。 ...
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