技术编号:7260630
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种沟槽栅MOSFET的制造方法,在对硬掩膜进行硬掩膜沟槽光刻、刻蚀时,形成的栅区硬掩膜沟槽的宽度大于源区硬掩膜沟槽的宽度的1.5倍,淀积的金属下介质膜的膜厚小于栅区硬掩膜沟槽的宽度的一半并且大于源区硬掩膜沟槽的宽度的一半,且多晶硅回刻蚀为全面刻蚀。本发明的沟槽栅MOSFET制造方法,通过使栅区硬掩膜沟槽的宽度同金属下介质膜的膜厚相匹配,在对多晶硅进行全面刻蚀后,在栅区沟槽中的多晶硅的上方自然形成适当宽度的栅极接触孔,使栅极接触孔刻蚀实现自对准...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。