技术编号:7260657
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供衬底;刻蚀所述衬底形成浅沟槽,所述浅沟槽侧壁顶部形成有尖锐倒角;在所述浅沟槽中形成介电材料;在所述浅沟槽中形成介电材料后,在惰性气体气氛中进行退火处理使所述尖锐倒角变圆滑,所述气体气氛中气体的分子质量大于等于氩气的分子质量。退火处理使得尖锐倒角变成圆角,圆角可以避免应力集中,当在半导体器件中通入电流时,高电场不会在圆角位置集中,从而减小了漏电流,避免浅沟槽隔离结构击穿及窄宽效应。专利说明 [0001]本发明涉及半导体,尤其涉及一种。 ...
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