技术编号：7260846
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及肖特基势垒二极管。所述肖特基势垒二极管包括GaN层（3）和肖特基电极（4），所述肖特基电极（4）形成在所述GaN层（3）上，其中，使与所述肖特基电极（4）相接触的所述GaN层（3）的区域（3c）的位错密度为1×108cm-2或更小以减小反向泄漏电流，通过使所述肖特基电极（4）中与所述GaN层（3）相接触的部分由Ni或Ni合金构成来增加势垒高度。由于在肖特基势垒二极管反向偏置时，由位错导致的反向泄漏电流小，所以由于肖特基电极的势垒高度增加而可以增强...
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