技术编号：7260923
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有偏离有源区的错配位错的GaN基激光二极管要求在先提交的美国申请的权益本申请要求2010年5月28日提交的美国申请系列第12/789，936号的权益。此文件的内容以及本文提到的出版物、专利和专利文件的所有内容都通过参考结合入本文中。背景GaN基激光器往往生长在GaN衬底的极性面上，这带来了强内场，该强内场会妨碍发光所需的电子-空穴复合。非极性面如m面和a面可用来消除这些场。GaN衬底也可沿着半极性晶面切割，产生弱得多的内场，并可在有源区形成高铟浓度，这可...
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