技术编号：7260948
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及图案化半导体工件的激光刻划，具体而言，涉及激光能量穿透停止层的使用，以在最小化激光刻划碎片产生的情况下实现多层图案化工件中的沟槽刻划。背景技术半导体器件是在诸如硅晶片等衬底上生成的多层结构，随后半导体器件在封装之前通过机械锯或激光束而切割成单独的芯片。半导体器件的趋势是用低k电介质材料层取代二氧化硅电介质层。低k电介质材料机械强度不高；因此，对低k电介质材料层进行机械锯切可导致一组独特的器件失效机理。激光刻划半导体器件的问题在于，激光束与多层结构...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。