技术编号:7260965
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,其中,所述绝缘栅双极晶体管包括具有第一主面和第二主面的第一导电类型的半导体衬底,其中,所述半导体衬底包括原胞区和位于所述原胞区外侧的终端保护区;形成于所述半导体衬底的第一主面侧的第一导电类型的第一半导体层,其中,所述第一半导体层的掺杂浓度高于所述半导体衬底的掺杂浓度高;形成于所述原胞区内的第一半导体层的第一主面侧的绝缘栅型晶体管单元,其中,所述绝缘栅型晶体管单元导通时,其形成有第一导电类型的沟道。与现有技术相比,其不仅可以提高该绝缘栅双极晶体管...
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