技术编号:7260979
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,所述绝缘栅双极晶体管形成在半导体衬底上,包括位于半导体衬底表面的MOS结构和位于半导体衬底底部的PN结,若干位于半导体衬底底部的槽型结构,所述槽型结构贯穿半导体衬底底部的PN结的P区和N区,并将所述PN结分为多个区域;其中,所述槽型结构包括位于半导体衬底底部的金属块和位于金属块和半导体衬底之间的氧化层,金属块中的金属的功函数小于半导体衬底材料的功函数。所述槽型结构使得半导体衬底处PN结中电子电流和空穴电流的流向分布发生改变。于是可以通过调节槽型结构来...
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