技术编号:7261229
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供的一种光接收应用的PIN光电探测器芯片,包括外延片与其背面形成欧姆接触的n电极,所述的外延片自n型InP半导体衬底上连续生长n型InP缓冲层;i型InGaAs吸收层;n型InP过渡层;n型至少三元以上的Ⅲ-Ⅴ族顶层,所述n型InP过渡层中心设有掺杂光敏区和掺杂保护环;位于所述n型InP过渡层上表面依序设有钝化膜层及增透过渡薄膜层;该增透过渡薄膜层的部分表面设有p型电极金属层;另一部分设有绝缘层;该绝缘层表面设有金属遮光层;增透薄膜层设于所述金属遮...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。