技术编号:7261399
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种应力沟道PMOS器件及其制作方法,所述制作方法包括步骤1)提供一硅衬底,于所述硅衬底中形成沟槽结构;2)于所述沟槽结构内形成包括Si1-xCx层、Si1-yCy层及SiGe沟道层的叠层结构,其中,x的取值范围为0.001~0.3,y的取值范围为0.01~0.5,且x<y;3)于所述SiGe沟道层表面形成栅极结构;4)刻蚀所述栅极结构两侧下方的叠层结构,形成填充槽;5)于所述填充槽内形成SiGe填充层。本发明通过增加了Si1-xCx层、S...
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