技术编号:7261459
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构,本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率器件,通过半导体装置衬底与绝缘的DBC基板相连,所得到的DBC基板再与外部封装相连,可以使得该半导体装置在承受反偏高压时,DBC板承担大部分耐压,器件纵向耐压获得增强。通过优化横向尺寸及结构可以大幅度提高半导体器件的综合耐压水平。专利说明一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构 [0001]本发明涉及到一种提高器件耐压能力的半导体装...
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