技术编号:7261512
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例,一种半导体发光器件包括第一半导体层、第二半导体层、以及设于第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。第一半导体层包括氮化物半导体,并且是n型的。第二半导体层包括氮化物半导体,并且是p型的。所述发光层包括第一阱层;设于第一阱层与第二半导体层之间的第二阱层;设于第一和第二阱层之间的第一势垒层;以及在第一势垒层与第二阱层之间接触第二阱层并且包括含Alx1Ga1-x1N(0.1≤x1≤0.35)的层的第一含Al层。专利说明半...
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