技术编号:7261618
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了本发明涉及一种,首先利用电镀方法制备一层吸收层薄膜,然后在上面使用涂布法再制备一层更宽带隙的吸收层薄膜,经过硒化热处理后,形成具有梯度带隙的吸收层结构。本发明所提供的吸收层制备方法,完全采用非真空方法制做完成,并且可以控制CIGS吸收层的带隙分布,适合连续化生产。专利说明制备铜铟镓砸吸收层薄膜的方法 [0001]本发明属于薄膜光伏,具体涉及一种制备铜铟镓硒太阳能电池吸收层的工艺。 背景技术 [0002]铜铟镓硒(CIGSe)系列太阳能...
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