技术编号:7261639
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管,其在有源区中每两个相邻的栅沟槽之间具有多个沟槽式源-体接触结构,可以在降低栅电荷的同时不影响器件的雪崩特性。专利说明沟槽式金属氧化物半导体场效应管[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请案要求对于2012年10月12日提交的美国专利申请第13/650,330号的优先权,该专利申请披露的内容通过全文引用而结合与本文中。[0003]本发明主要涉及功率半导体器件的单元结构和器件构造。更具体地,本发明涉及具有...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。