技术编号:7261649
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,功率半导体器件包括第一掺杂类型的半导体衬底,其上具有器件区域,在所述器件区域边缘形成有第二掺杂类型的主结区域和若干场限环,所述第一掺杂类型和第二掺杂类型相反;其中,所述主结区域和与所述主结区域相邻的第一场限环之间的半导体衬底中形成有第一掺杂区,所述第一掺杂区的掺杂类型和半导体衬底相同,掺杂浓度高于所述半导体衬底的掺杂浓度。所述半导体功率器件中,所述主结区域和第一场限环之间的第一掺杂区增加了主结区域和第一场限环之间的半导体衬底的表面浓度。由于其电子势能...
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