技术编号：7261718
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；在所述硅通孔中依次形成第一应力吸收层和铜导电层，其中，位于所述硅通孔底部的铜导电层的顶部低于所述硅通孔的顶部，以部分填充所述硅通孔；形成第二应力吸收层，覆盖所述铜导电层的同时完全填充所述硅通孔；执行化学机械研磨直至露出硅通孔的顶部。根据本发明，在硅通孔中形成上述双层应力吸收层，可以明显减小衬垫层、阻挡层和铜导电层之间界面处的内部应力，避免分层现象的出现。专利说明 [...
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