技术编号：7261766
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，包括提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成第一停止层、位于第一停止层表面的第一牺牲层、位于所述第一牺牲层的表面的第二停止层、位于所述第二停止层表面的第二牺牲层；刻蚀所述第二牺牲层、第二停止层、第一牺牲层、第一停止层和半导体衬底，形成凹槽；在凹槽内填充绝缘介质材料，形成表面与第二牺牲层的表面齐平的隔离结构；去除所述第二牺牲层，暴露出部分隔离结构的侧壁和顶面；去除所述第二停止层，同时刻蚀所述暴露的部分隔离结构，使隔离结构的顶部宽度减小；去除第一牺牲层，在所...
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