技术编号:7261770
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成具有开口的掩膜层;沿所述开口刻蚀部分半导体衬底,在所述半导体衬底内形成凹槽;对所述开口两侧的掩膜层进行横向刻蚀,暴露出部分半导体衬底的表面;在所述凹槽内壁表面和部分暴露的半导体衬底表面形成衬垫氧化层,使所述凹槽顶部与半导体衬底表面连接的顶角呈圆弧状。在所述衬垫氧化层表面形成填充满所述凹槽的隔离层。所述方法能够提高形成的浅沟槽隔离结构的隔离效果。专利说明 [0001] 本发明...
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