技术编号:7261781
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种电子器件可以包括衬底、覆盖衬底的掩埋氧化物(BOX)层、覆盖BOX层的至少一个半导体器件和在衬底中并且与至少一个半导体器件相邻的至少一个浅沟槽隔离(STI)区域。至少一个STI区域与衬底限定侧壁表面并且可以包括对侧壁表面的底部分加衬的氧化物层、对侧壁表面的在底部分以上的上部分加衬的氮化物层和在氮化物与氧化物层之间的绝缘材料。专利说明包括具有底部氧化物衬垫和上氮化物衬垫的浅沟槽隔离(STI)区域的电子器件和相关方法[0001]本发明涉及电子器件领域,并且...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。