技术编号：7261810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种，所述鳍式场效应晶体管的形成方法，包括提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括半导体层；对所述半导体层进行图形化处理，直至形成上表面齐平的鳍部结构；在所述鳍部结构上表面的中部形成掩膜层；以所述掩膜层为掩模，对所述鳍部结构进行第一次各向异性刻蚀，直至所述鳍部结构暴露在外的上表面被蚀刻为曲面；去除所述掩膜层。所述形成方法工艺简单，工艺成本低，并且所形成的鳍式场效应晶体管不存在自加热效应严重的问题。专利说明 [0001]本发明涉及...
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