技术编号：7261879
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供，涉及半导体。该方法包括步骤S101提供前端器件，所述前端器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上的栅极和有源区、接触孔刻蚀阻挡层、以及层间介电层；步骤S102对层间介电层进行刻蚀，在拟形成接触孔的位置形成层间介电层的开口；步骤S103对接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成接触孔刻蚀阻挡层的开口，其中，接触孔刻蚀阻挡层的开口和层间介电层的开口共同构成所述接触孔；步骤S104采用基于氯气的反应气体对栅极进行处理，去除栅极表面的氧化物层。该方法由于采用基于氯气...
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