技术编号:7261931
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底表面形成有牺牲层;在所述半导体衬底表面形成第一侧墙,所述第一侧墙位于牺牲层两侧;在所述半导体衬底表面形成第二侧墙,所述第二侧墙位于形成有第一侧墙的牺牲层两侧;去除牺牲层;刻蚀第一侧墙或第二侧墙,使得相邻第一侧墙的距离与相邻第二侧墙的距离相等;以第一侧墙和第二侧墙为掩膜,刻蚀半导体衬底形成鳍部;去除位于鳍部表面的第一侧墙及第二侧墙。本发明形成的鳍式场效应管具有较小宽度的鳍部,鳍部的宽度与第一侧墙及第二侧墙的宽度之和相同...
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