技术编号:7261958
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供具有第一金属层的半导体衬底,在半导体衬底表面依次形成阻挡层、介质层、保护层、第一金属掩膜层和第二金属掩膜层;在第一金属掩膜层及第二金属掩膜层内形成第一开口;在第二金属掩膜层表面形成具有第二开口的掩膜层,所述第二开口暴露出保护层;沿第二开口依次刻蚀保护层及介质层;沿所述第一开口刻蚀介质层,至暴露出阻挡层,在介质层内形成大马士革开口;去除第二金属掩膜层;去除位于大马士革开口底部的阻挡层,至暴露出第一金属层;在所述大马士革开口内填充第二金属层。本发...
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