技术编号:7262395
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片制造工艺,公开了一种。该方法通过一次光刻工艺和自对准制程分别形成沟槽型DMOS晶体管的沟槽和接触孔,进一步降低了DMOS晶体管的尺寸,从而大大减小了DMOS器件的导通电阻,提高了DMOS器件的驱动能力。同时,相同面积形成的晶体管数量增加,降低了生产成本。专利说明 [0001]本发明涉及半导体芯片制造工艺,特别是涉及一种。 背景技术 [0002]DMOS (双扩散的金属氧化物半导体)晶体管是一种MOSFET (金属半导体场效应管...
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