技术编号:7262490
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提供了一种可以形成具有高电阻率和低反射率特性的黑矩阵的溅射靶及一种包括通过其沉积的黑矩阵的有机发光显示装置。在用于沉积黑矩阵的溅射工艺中使用的溅射靶包含从由Mo-Si-O、W-Si-O和Mo-W-Si-O组成的组中选择的一种,Mo或W的含量为Si的含量的至少0.5倍。专利说明溅射靶及包括通过其沉积的黑矩阵的有机发光显示装置[0001]本申请要求于2012年8月16日提交的第10-2012-0089333号韩国专利申请的优先权,出于全部目的通过引用将上述申请...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。