技术编号:7262717
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种,包括提供具有隔离结构的半导体衬底,其上具有第一区域与第二区域;在所述半导体衬底表面形成硅层;对所述硅层进行氧化,形成第一栅极氧化层;去除第二区域的第一栅极氧化层,暴露出半导体衬底表面;在所述第二区域暴露出的半导体衬底表面形成第二栅极氧化层。本发明通过在半导体衬底上沉积硅层,对硅层进行氧化形成第一栅极氧化层,再刻蚀掉第二区域的第一栅极氧化层,避免直接刻蚀由半导体衬底氧化形成的第一栅极氧化层而破坏第二区域AA区的圆化顶角,提高第二栅极氧化层的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。