技术编号:7262729
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供衬底,所述衬底表面具有第一介质层,所述第一介质层内具有第一电极层,所述第一电极层的表面与第一介质层的表面齐平;在所述第一介质层和第一电极层表面形成第二介质层,所述第二介质层内具有暴露出部分第一电极层表面的开口;采用选择性无电沉积工艺在所述开口底部的第一电极层表面形成导电层,所述导电层的表面低于第二介质层表面;在所述导电层表面形成填充满所述开口的第二电极层;在所述第二电极层表面形成相变层。所形成的相变存储器性能得到改善。专利说明 [000...
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