一种提取半导体器件栅介质层陷阱时间常数的方法技术资料下载

技术编号:7262775

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本发明公开,属于微电子器件可靠性领域。该方法首先初始化半导体器件中陷阱状态,使得陷阱最终状态为空状态;然后栅端施加DC信号或AC信号,漏端为零偏压Vd1,在经过一段时间t1后,在栅端、漏端上分别施加小电压Vg2与Vd2,检测漏电流Id状态;将时间t1改为t2=t1+Δt,其他的条件不变,重复上一步骤,依次类推,进行N次测量得到t1、t1+Δt……t1+(N-1)Δt?N个时间点对应的漏端电流状态;随后进行滑动平均,计算得到(N-n)个时刻点对应的占据几率P...
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