技术编号：7263180
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体器件，包括基板，具有掺杂成第一导电类型的漂移区；沟槽，通过垂直地蚀刻基板的上表面而形成；栅极，沿着沟槽的侧壁布置；栅氧化物层，布置在沟槽的侧壁与栅极之间以及在沟槽的底表面与栅极之间；第一导电类型的第一源极区，形成在基板的上表面上；第一导电类型的第二源极区，形成在沟槽的底表面上；第一阱区，形成在第一源极区与漂移区之间；以及第二阱区，形成在第二源极区与漂移区之间，其中第一和第二阱区被掺杂成第二导电类型，该第二导电类型与第一导电类型电学上相反。专利说明...
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