技术编号:7263449
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供半导体衬底,半导体衬底第一区域上具有第一鳍部,第二区域上具有若干分立的第二鳍部以及位于第一鳍部和第二鳍部顶部的第一图形化掩膜层;在半导体衬底表面形成表面与第一图形化掩膜层的表面齐平的介质层;在介质层表面形成第二图形化掩膜层,第二图形化掩膜层覆盖第一区域和第二区域连接处的相邻的第一鳍部和第二鳍部之间的部分介质层表面;刻蚀部分介质层,在介质层内形成凹槽;在所述凹槽内形成栅介质材料层和栅极材料层;形成位于第一区域上横跨所述第一鳍部的第一栅极和位于第...
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