技术编号:7263605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种封装成本低、发光效率高、散热好的发光二极管芯片的制造方法。在蓝宝石衬底上依次生长出氮化镓缓冲层,负型半导体材料层、发光层与正型半导体材料层;在正型半导体材料层上同时刻蚀出电流阻挡区域和定义单颗芯片的切割槽,并在所述电流阻挡区域和定义单颗芯片的切割槽内填充绝缘材料;在正型半导体材料层上粘附导电支撑基材,剥离蓝宝石衬底;将剥离蓝宝石衬底后显露的氮化镓缓冲层去除,至显露出负型半导体材料层,再将负型半导体材料层的出光面粗化;在所述的负型半导体材料层上...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。