技术编号:7264180
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例大体关于基材处理。背景技术在处理半导体、平板显示器或其它电子装置的领域中,由于电子装置的几何尺寸持续缩减,而装置密度持续增加,整体特征结构的尺寸被减小且纵横比被加大。在现有的装置制造中,例如,当在二或三维的装置中制造 金属栅极结构时,为了填充较小的特征结构,通过高温沉积处理在湿润层顶上沉积金属栅极材料。可能还需要额外的层,例如一或多个阻障层,以防止金属层扩散进入下方的层内;以及一或多个功函数层(work functionlayer),以为装置...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。