技术编号:7264316
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜,在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤选取镓系半导体衬底,并清理镓系半导体衬底表面;然后在含有氧分压的气氛中,采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理,将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开,使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键;最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本发明在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。