技术编号:7264318
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅基锗量子点复合结构材料,所述复合结构材料包括多孔硅基底和生长在所述多孔硅基底上的锗量子点。本发明采用超声增强的办法提高硅基底的腐蚀速率和孔的均匀性,在量子点生长方面采用磁控溅射和后期退火的生长过程;本发明提供的硅基锗量子点复合结构材料具有较高的光电转化效率;制备方法安全性高,且操作简单,工业化前景好。专利说明 一种硅基锗量子点复合结构材料、其制备方法及应用 [0001]本发明属于半导体材料的制备领域,具体涉及一种硅基锗量子点复合结构材...
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