技术编号:7264329
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种栅极的形成方法,包括提供基底,形成栅极材料层,在所述栅极材料层上形成第一条状结构和第二条状结构;形成第一牺牲层和图形化的第一掩膜层,图形化的第一掩膜层暴露第一条状结构上的第一牺牲层;之后形成第二牺牲层,在第二牺牲层上形成具有第一窗口的第一光刻胶,第一窗口的长度等于第一光刻胶在栅宽方向上的长度;沿所述第一窗口刻蚀第一条状结构;刻蚀所述第二条状结构,刻蚀后的第二条状结构定义第二栅极的位置;以刻蚀后的第一条状结构和刻蚀后的第二条状结构为掩膜,刻蚀所述栅极材料...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。