技术编号:7264488
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造,公开了,所述自对准硅化物晶体管的制作方法,包括形成位于衬底上的栅极及位于所述栅极上的抗氧化层;将离子注入及驱入所述栅极一侧的衬底内形成体区,所述衬底表面和所述栅极两侧生成设定的第一厚度氧化层;对所述抗氧化层进行去除;形成位于所述栅极上的自对准硅化物层;对所述第一厚度氧化层进行刻蚀,形成设定的第二厚度氧化层;形成位于所述体区内的源区及位于所述栅极另一侧的衬底内的漏区。采用本发明的技术方案,可以方便形成自对准硅化物晶体管的源区和漏区,...
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