技术编号:7264529
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括以下步骤步骤1取一外延衬底;步骤2在外延衬底上外延一致密薄层,该致密薄层作为后续氮化镓外延的成核层;步骤3暂停生长,使致密薄层发生分解,得到疏松薄层;步骤4在疏松薄层上,外延氮化镓薄膜。本发明的方法是采用AlInGaN四元合金作为氮化镓外延的成核层,利用In原子的易析出特性生成非致密的AlInGaN外延层来释放来自晶格失配的应力,从而获得高质量的氮化镓外延薄膜。专利说明利用Al InGaN制作氮化镓外延薄膜的方法[0001]本发明属于半导体,特别...
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