技术编号：7264626
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了，在400℃～600℃的温度条件下，使用锗的氢化物去除半导体衬底表面上的自然氧化层。本发明提供的自然氧化层的去除方法的处理温度低，可有效避免半导体器件衬底硅的损失，并且整个去除过程可在外延反应设备中进行，不需要对外延反应设备的腔室进行任何改造，因此处理成本也大大降低。专利说明 [0001]本发明涉及半导体器件制备领域，特别涉及一种去除外延前自然氧化层的方法。 背景技术 [0002]外延工艺是常用的一种生长SiGe，Ge，SiC, Ge...
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