技术编号:7264676
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,包括提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成具有多个浅沟槽隔离结构的图案的硬掩膜层;在所述半导体衬底中形成所述多个浅沟槽隔离结构;实施干法蚀刻和湿法蚀刻去除所述多个浅沟槽隔离结构高出所述半导体衬底的部分;去除所述硬掩膜层。根据本发明,实施干法蚀刻和湿法蚀刻去除所述多个浅沟槽隔离结构高出所述半导体衬底的部分,可以使所述去除之后的位于所述半导体衬底上的不同区域的浅沟槽隔离结构的高度相一致。专利说明 [0001]本发明涉及半导体制造工艺,具体而言...
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