技术编号:7264677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件的检测结构,至少包括并联连接于第一电源和第二电源之间的第一反相器和第二反相器;其中,所述第一反相器的输出端连接于所述第一反相器的输入端,所述第二反相器的输入端连接于所述第一反相器的输入端;所述第一反相器的输入端连接输入电压,通过检测所述第二反相器的输出电压,以确定所述半导体器件的失配性能。本发明提供了一种新的用来表征MOS管失配的检测结构,所述检测机构包括两个或者多个反相器,其中所述第一反相器的输入端和输出端连接在一起,同时剩余的反...
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