技术编号:7264697
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,涉及半导体。本发明的半导体器件的制造方法,通过在栅极叠层结构中增加盖帽层和阻挡层,实现了对晶体管的阈值电压的调节,可以更好地实现具有多阈值电压的半导体器件。本发明的半导体器件,由于在栅极叠层结构中增加了盖帽层和阻挡层,可以实现对晶体管的阈值电压的调节,具有更好的阈值电压特性。专利说明 [0001] 本发明涉及半导体,具体而言涉及。 背景技术 [0002] 在半导体中,如何在保证半导体器件的性能的同时降低功耗已经成为人 们面临的一个主要...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。