技术编号：7264701
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有虚拟栅极介电层；去除所述虚拟栅极介电层，以露出所述半导体衬底；在露出的所述半导体衬底上形成化学氧化物层；执行热处理步骤，以在所述化学氧化物层表面形成热氧化物层；对所述热氧化物层进行湿法清洗，以降低所述化学氧化物层和所述热氧化物层的总厚度。本发明中首先形成化学氧化物层，通过RTO进一步形成热氧化物层，选用氨水和双氧水混合液对所述热氧化物层和化学氧化物层进行湿法清洗，以降低其厚度，通过所述方法不仅能够达到制...
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